TVS 的简介

第一代TVS主要以3寸，4寸晶圆流片为主，大封装形式（SMA,SMB,SMC.SMD）, 这种产品主要是功能性的，产品的漏电电流大，击穿电压不稳，良率低，钳位电压高，电容大等问题；第二代TVS主要以5寸，6寸晶圆流片为主，以打线封装为主（DFN,SOT,SOD,SOP）, 这种产品是目前应用的较多的一种，产品的漏电电流小，击穿电压稳定，良率高，钳位 电压一般，电容有低容，普容和高容，6寸可以做回扫型ESD产品；第三代TVS主要以8寸晶圆流片为主，以CSP晶圆级封装为主（DFN）,这种产品是高性能的ESD，采用8寸的先进制造工艺，稳定控制产品的各种参数，具有漏电电流小， 击穿电压稳定，良率高，钳位电压低，电容有低容，普容和高容；做回扫型ESD产品性能更优，CSP晶圆级封装可以提高产品性能。

接下来我们来分享常规ESD和回扫型ESD特性区别。

常规ESD特性曲线图                          回扫型ESD曲线图

从以上图片可以看出两者的区别，回扫型ESD最大的特点是在电压到达VT1触发电压后，瞬间把ESD两端的钳位电压拉低到工作电压VRWM和触发电压VT1之间，这个电压称为Vh，之后随着电流的增加电压逐渐增大。回扫ESD的特性就是在IPP一样的情况下，VC钳位电压比常规的ESD器件低30%以上，做到提前释放能量，极大的保护了IC乃至整个电路的安全。下面给大家重点介绍回扫型ESD的新型封装技术CSP:

TVS新型封装CSP

CSP封装的概念: Chip Scale Package 芯片级封装 (晶圆级封装)

WLP （WLP，Wafer Level Package）一般定义为直接在晶圆上进行大多数或全部 的封装与测试，之后再进行切割（singulation ）制成单颗组件的技术。而RDL、 bumping、copper pillar、TSV等技术是WLP的关键技术。

新型封装CSP与传统封装对比

传统框架类封装：

关键技术： 划片上芯； 打线； 塑封； 切割；

CSP连接方式：

关键技术： 硅通孔技术； 焊料隆起技术； 铜柱隆起； 重布线；

CSP封装优势

ü 封装尺寸更小，功率更大

ü 体积更小，设计更灵活

ü 无框架载体，寄生参数小

ü 散热好

ü 先进制程，成品率高

ü 高可靠性，高生产效率

微小型CSP封装 适合TVS，diodes，schottky，主流尺寸在0.6mmx0.3mm , 0.4mmx0.2mm的CSP封装

优势产品推荐

带回扫ESD

JUB05CD2:  5V双向， DFN1006-2封装， 体积小，15pf，8A，IPP高，VC低，阻抗小，带回扫。

JUB 12CD2:  12V双向， DFN1006-2封装， 体积小，8pf，9A，VC低，阻抗小，带回扫。

大功率ESD

JGUB12D2:  12V单向， DFN1006-2封装， 体积小，功率大，阻抗小。

JES1211P1： 12V单向， DFN1006-2封装， 体积小，功率大，阻抗小。

大功率带回扫ESD

CSPJB0511D2:  5V双向， DFN1006-2封装， 体积小，100A，IPP高，VC低，阻抗小，带回扫。

大功率ESD

JGUB12D2:  12V单向， DFN1006-2封装， 体积小，功率大，阻抗小。

JES1211P1： 12V单向， DFN1006-2封装， 体积小，功率大，阻抗小。

大功率带回扫ESD

CSPJB0511D2:  5V双向， DFN1006-2封装， 体积小，100A，IPP高，VC低，阻抗小，带回扫。